产品介绍

● 基于40nm CMOS成熟工艺；

● 有效系统门容量达到268万门； 

● 芯核电压1.1V，I/O标准电压3.3V，支持多种I/O标准； 

● 具备294个4.5K嵌入式存储单元，最大可实现1.32Mb； 

● 具备40个高速18×18位乘法器； 

● 具有8个可编程PLL，最高时钟管理频率可达500MHz； 

● 最多可提供16路全局时钟信号； 

● 支持片上数字控制终端电阻DCT； 

● 最大可提供226个可编程用户I/O, 最多提供113对LVDS差分端口； 

● 支持主动串行、被动串行、主动并行、被动并行、JTAG、SPI配置模式； 

● ESD耐压大于2000V； 

● 封装形式：FTG256/CSG324；

● 温度范围：

       -40℃～100℃（FTG256）

       -40℃～100℃（CSG324）

● 使用自主研发软件eLinx2.0集成综合环境进行开发验证。