EQ6HL9型
产品介绍
● 基于40nm CMOS成熟工艺;
● 有效系统门容量达到86万门;
● 芯核电压1.1V,I/O标准电压3.3V,支持多种I/O标准;
● 具备64个4.5K嵌入式存储单元,最大可实现288Kb;
● 具备16个高速18×18位乘法器;
● 具有2个可编程PLL,最高时钟管理频率可达500MHz;
● 最多可提供16路全局时钟信号;
● 支持片上数字控制终端电阻DCT;
● 最大可提供202个可编程用户I/O, 最多提供101对LVDS差分端口;
● 支持主动串行、被动串行、主动并行、被动并行、JTAG、SPI配置模式;
● ESD耐压大于2000V;
● 封装形式:TQG144/CSG225/FTG256/CSG324;
● 温度范围:
-40℃~100℃(TQG144)
-40℃~100℃(CSG225)
-40℃~100℃(FTG256)
-40℃~100℃(CSG324)
● 使用自主研发软件eLinx2.0集成综合环境进行开发验证。