EQ6GL9型
产品介绍
● 基于40nm CMOS成熟工艺;
● 有效系统门容量达到92万门;
● 芯核电压1.1V,I/O标准电压3.3V,支持多种I/O标准;
● 具有32个4.5K嵌入式存储单元,最大存储容量144Kb;
● 具有16个高速18×18位乘法器;
● 具有1个可编程PLL,最高时钟管理频率可达500MHz;
● 最多可提供8路全局时钟信号;
● 最大可提供88个可编程用户I/O;
● 支持主动串行、被动串行、主动并行、被动并行、JTAG、SPI等配置模式;
● ESD大于2000V;
● 封装形式:FG100/TQG144/CB256;
● 温度范围:
-55℃~125℃(FG100)
-40℃~100℃(TQG144)
-55℃~125℃(CB256)
● 使用自主研发软件eLinx2.0集成综合环境进行开发验证。