ER2HL35型
产品介绍
● 基于0.13μm CMOS工艺;
● 有效系统门容量达到350万门;
● 芯核电压1.5V,I/O标准电压3.3V,支持多种I/O标准;
● 具有384个嵌入式存储单元,最大存储容量1.7Mb;
● 具有128个高速18×18位乘法器;
● 具有12个可编程PLL,最高时钟管理频率可达250MHz;
● 最多可提供16路全局时钟信号;
● 最大可提供512个可编程用户I/O, 最多提供256个LVDS差分端口;
● 支持主动串行、被动串行、主动并行、被动并行、JTAG等配置模式;
● ESD大于2000V;
● 封装形式:CG717;
● 温度范围:-55℃~125℃;
● 抗辐照能力:TID>100Krad(Si)、SEL>75MeV•c㎡/mg,支持码点定制固化设计;
● 使用自主研发软件Passkey9.0集成综合环境进行开发验证。