产品介绍

HCE68M605是一款集成了N-MOSFET的过压过流保护开关，具有可设置输入过压保护、输出过压钳位和输出过流保护的过压过流开关。还可以通过外部器件调节输出电压的软启动时间，控制输出电压上升的斜率。独立的使能控制允许复杂的系统上电顺序控制。该器件还集成了过温保护功能。 

该芯片工作电压宽，输入电压范围为4V～48V。为了降低芯片损耗，集成了阻抗极低的N-MOSFET，导通阻抗仅为40mΩ。

芯片尺寸仅为3×3mm，外围器件简单，可以灵活应用于各种需要保护的场合，提升系统的可靠性。 

产品特性

◆ 采用SMT工艺，塑封封装 

◆ 输入范围4V～48V，最大浪涌电压可达到60V

◆ 超低内置MOS的导通电阻：40mΩ

◆ 软启动时间可调 

◆ 限流点可调，最大限流点为 5A

◆ 可自恢复的热保护功能 

◆ 可调的输入过压保护，自动恢复 

◆ 可调的输出钳位电压，自动恢复 

◆ 提供独立的使能端口 

◆ QFN3×3-16