产品介绍

HCE41J256M16MB型是一款4Gb DDR3 SDRAM， 最高数据传输速率可达1600Mbps。

产品特性

◆ VDD=VDDQ=1.5V(1.425V～1.575V) 

◆ 8 banks 

◆ 8n-bit 预取架构 

◆ 全差分时钟输入(CK,CK)运行 

◆ 双向差分数据选通(DQS, DQS) 

◆ 在芯片DLL将DQ、DQS 和 DQS 转换与 CK 转 换对 齐 

◆ DM掩码在数据选通的上升沿和下降沿写入数据 

◆ 所有地址和控制输入，除了数据、数据频闪和数据掩码锁存在时钟的上升沿 

◆ 支持可编程 CAS 延迟 5 至 14 

◆ 支持可编程附加延迟 0,CL-1 和 CL-2 

◆ 可编程 CAS 写入延迟(CWL) = 5, 6, 7, 8, 9, 10 

◆ 可编程的爆发长度 4/8，具有半字节顺序和交错 模 式 

◆ BL 即时切换 

◆ MRS 选择的驱动强度 

◆ 动态片上终止 

◆ 异步复位引脚 

◆ 内部(自我)校准:通过 ZQ 引脚进行内部自我校准 

◆ (RZQ: 240 欧姆±1%) 

◆ 符合 JEDEC