产品介绍

HCE40A512M16MB是一款8Gb DDR4 SDRAM，8bit预取机制，同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍，时钟频率1333MHz，工作电压低至1.2V。

产品特性

◆ 容量：8Gb，8n-bit 预取结构 

◆ 存储结构：512M×16 bit 

◆ 工作电压：

  VDD=VDDQ=1.2V（1.14V～1.26V）

  VPP=2.5V（2.375V～2.75V） 

◆ 固定突发长度(BL, Burst Length)：8 

◆ 固定突发终止(BC, Burst Chop)：4 

◆ 可编程 CAS 读延迟(CL, CAS Latency) 

◆ 可编程 CAS 写延迟(CWL, CAS Write Latency) 

◆ 支持标称 ODT、静态 ODT 和动态 ODT(ODT, ondie termination) 

◆ 支持数据总线反转(DBI, Data Bus Inversion) 

◆ 支持自刷新和自动刷新 

◆ 支持命令地址(CA, Command Address)奇偶校验 

◆ 支持写入循环冗余代码(CRC, Cyclic Redundancy Code）